RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR4N-UH 16GB
Сравнить
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR4N-UH 16GB
-->
Средняя оценка
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR4N-UH 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR4N-UH 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
40
52
Около -30% меньшая задержка
Выше скорость чтения
9.1
2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
6.9
1,145.9
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
4200
Около 4.57 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR4N-UH 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
52
40
Скорость чтения, Гб/сек
2,614.5
9.1
Скорость записи, Гб/сек
1,145.9
6.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
4200
19200
Other
Описание
PC2-4200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, TBD1 V tolerant, TBD2 V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
4-4-4-12 / 533 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
409
2031
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB Сравнения RAM
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Samsung M4 70T2864AZ3-CE6 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR4N-UH 16GB Сравнения RAM
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Corsair CMD64GX4M8X4000C19 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Avant Technology W6451U66J7240ND 4GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Crucial Technology BL8G30C15U4W.M8FE 8GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Crucial Technology BL16G36C16U4BL.M8FB1 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Essencore Limited IM44GU48N28-GGGHM 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Mushkin MR[A/B]4U320GJJM8G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Kingston K6VDX7-HYD 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GVK 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FE 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C8FE 8GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.C8FJ 8GB
Crucial Technology CT8G48C40U5.M4A1 8GB
A-DATA Technology AD5U48008G-B 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Panram International Corporation W4N2400PS-8G 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 4GB CL16 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link