RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19S/4G 4GB
Сравнить
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB против Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19S/4G 4GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Средняя оценка
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19S/4G 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
16.1
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19S/4G 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
63
77
Около -22% меньшая задержка
Выше скорость записи
9.1
2,622.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
5300
Около 4.02 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19S/4G 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
77
63
Скорость чтения, Гб/сек
3,405.2
16.1
Скорость записи, Гб/сек
2,622.0
9.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
21300
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
763
1932
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Сравнения RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19S/4G 4GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19S/4G 4GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZ 8GB
Samsung M378A1K43BB1-CTD 16GB
Samsung M393A2K43CB1-CRC 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Corsair CMK16GX4M2A2400C14 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Team Group Inc. Team-Elite-2400 4GB
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
Crucial Technology BL8G36C16U4WL.M8FE1 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Samsung M378A1K43BB1-CTD 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Ramaxel Technology RMUA5210ME88HCF-3200 32GB
PNY Electronics PNY 2GB
Samsung M471A1K43BB1-CRC 8GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FD2 4GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESTK.M8FE 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Corsair CMD32GX4M2B2800C14 16GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Kingston 9905663-016.A00G 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Kingston XVTW4H-MIE 32GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link