RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR4N-UH 16GB
Porównaj
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR4N-UH 16GB
Wynik ogólny
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR4N-UH 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
9.8
9.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.1
6.9
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR4N-UH 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
40
51
Wokół strony -28% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR4N-UH 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
51
40
Prędkość odczytu, GB/s
9.8
9.1
Prędkość zapisu, GB/s
8.1
6.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, TBD1 V tolerant, TBD2 V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2208
2031
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB Porównanie pamięci RAM
TwinMOS 9DEPBOZE-TATP 8GB
SK Hynix HMT125U6TFR8C-H9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR4N-UH 16GB Porównanie pamięci RAM
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Corsair CMK16GX4M2A2133C13 8GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Kingston 9965596-035.B00G 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
A-DATA Technology AM1P26KC4U1-BACS 4GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Corsair CMD32GX4M4B3733C17 8GB
SK Hynix HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
Samsung M393A4K40BB2-CTD 32GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
SK Hynix HMA82GU6JJR8N-VK 16GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF8G 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G6D1 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GFX 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMK32GX4M4A2666C15 8GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Cortus SAS 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Kingston KHX2666C11D3/4GX 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A1600C10 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Transcend Information TS1GLH64V1H 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link