RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Samsung M471A5143EB0-CPB 4GB
Porównaj
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB vs Samsung M471A5143EB0-CPB 4GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Wynik ogólny
Samsung M471A5143EB0-CPB 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Samsung M471A5143EB0-CPB 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
35
43
Wokół strony -23% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
13.5
12.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.3
8.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Samsung M471A5143EB0-CPB 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
43
35
Prędkość odczytu, GB/s
12.3
13.5
Prędkość zapisu, GB/s
8.1
10.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1706
2155
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB Porównanie pamięci RAM
OCZ OCZ3G1600LV2G 2GB
OCZ OCZ3G16002G 2GB
Samsung M471A5143EB0-CPB 4GB Porównanie pamięci RAM
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Samsung M471A5143EB0-CPB 4GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Kingston 9905625-142.A00G 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTZN 16GB
Corsair CMSX64GX4M2A3200C22 32GB
Corsair CMSX64GX4M2A2666C18 32GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Samsung M471A5244BB0-CRC 4GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Corsair CMK16GX4M2D2666C16 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Essencore Limited IM48GU48N24-FFFHM 8GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO480E82-2400 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
V-GEN D4H8GL26A8TS6 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C16 Series 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
SK Hynix HMA81GR7AFR8N-VK 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZSW 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTRS 8GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link