RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Samsung M471A5143EB0-CPB 4GB
Compara
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB vs Samsung M471A5143EB0-CPB 4GB
Puntuación global
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Puntuación global
Samsung M471A5143EB0-CPB 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
Samsung M471A5143EB0-CPB 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
35
43
En -23% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
13.5
12.3
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
10.3
8.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
12800
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Samsung M471A5143EB0-CPB 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
43
35
Velocidad de lectura, GB/s
12.3
13.5
Velocidad de escritura, GB/s
8.1
10.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
17000
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1706
2155
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB Comparaciones de la memoria RAM
OCZ OCZ3G1600LV2G 2GB
OCZ OCZ3G16002G 2GB
Samsung M471A5143EB0-CPB 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
AMD AE34G2139U2 4GB
Mushkin MRA4S300GJJM16G 16GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Crucial Technology BL8G26C16U4R.8FD 8GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1AY 4GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Kingston ACR32D4S2S1ME-8 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Corsair CMR32GX4M2A2666C16 16GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6MFR8N
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
V-Color Technology Inc. TN48G26S819-SB 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Corsair CMW32GX4M2C3466C16 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTZR 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Kingston 9905713-019.A00G 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Samsung M378A5143TB2-CTD 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FBD 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FD2 8GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Essencore Limited IM48GU88A30-FGGHMB 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link