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Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB
Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G6D2 64GB
Compara
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB vs Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G6D2 64GB
Puntuación global
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB
Puntuación global
Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G6D2 64GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
12
8.7
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
7.2
7.0
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G6D2 64GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
38
42
En -11% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
12800
En 1.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB
Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G6D2 64GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
42
38
Velocidad de lectura, GB/s
12.0
8.7
Velocidad de escritura, GB/s
7.2
7.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
21300
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1933
1999
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB Comparaciones de la memoria RAM
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Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G6D2 64GB Comparaciones de la memoria RAM
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
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Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
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Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Kingston ACR26D4U9S8HJ-8 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Corsair CMR32GX4M4D3000C16 8GB
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