RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB
Panram International Corporation W4N2666PS-16G 16GB
Compara
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB vs Panram International Corporation W4N2666PS-16G 16GB
Puntuación global
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB
Puntuación global
Panram International Corporation W4N2666PS-16G 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
Panram International Corporation W4N2666PS-16G 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
24
42
En -75% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.7
12
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.8
7.2
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
12800
En 1.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB
Panram International Corporation W4N2666PS-16G 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
42
24
Velocidad de lectura, GB/s
12.0
15.7
Velocidad de escritura, GB/s
7.2
12.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
21300
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1933
2865
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Teikon TMA851S6AFR6N-UHHC 4GB
Panram International Corporation W4N2666PS-16G 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Apacer Technology 76.D305G.D390B 16GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Ramaxel Technology RMUA5120ME86H9F-2666 4GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Corsair CMK16GX4M2D2400C14 8GB
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB
Panram International Corporation W4N2666PS-16G 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Corsair CMD8GX4M2B3200C16 4GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3H1 8GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Corsair CMG16GX4M2D3600C18 8GB
Corsair CMSX64GX4M2A3200C22 32GB
G Skill Intl F4-3200C22-32GRS 32GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Golden Empire CL15-17-17 D4-3000 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
SK Hynix GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FBD 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Corsair CMG16GX4M2D3600C18 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Asgard VMA44UI-MEC1U2AW2 32GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M16FE1 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link