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Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB
V-GEN D4S4GL32A16TS 4GB
Compara
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB vs V-GEN D4S4GL32A16TS 4GB
Puntuación global
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB
Puntuación global
V-GEN D4S4GL32A16TS 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
42
62
En 32% menor latencia
Razones a tener en cuenta
V-GEN D4S4GL32A16TS 4GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.9
12
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
7.4
7.2
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
12800
En 1.5 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB
V-GEN D4S4GL32A16TS 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
42
62
Velocidad de lectura, GB/s
12.0
15.9
Velocidad de escritura, GB/s
7.2
7.4
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
19200
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1933
1891
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZR 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FAD 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-2400C15Z8GNT 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Crucial Technology CT16G4SFDFD4A.M16FH 16GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FP 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston KHX2666C16D4/4G 4GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Kingston 9905630-030.A00G 16GB
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