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Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB
V-GEN D4S4GL32A16TS 4GB
比较
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB vs V-GEN D4S4GL32A16TS 4GB
总分
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB
总分
V-GEN D4S4GL32A16TS 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
42
62
左右 32% 更低的延时
需要考虑的原因
V-GEN D4S4GL32A16TS 4GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
15.9
12
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
7.4
7.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB
V-GEN D4S4GL32A16TS 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
42
62
读取速度,GB/s
12.0
15.9
写入速度,GB/s
7.2
7.4
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
1933
1891
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RAM Latency Calculator
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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UMAX Technology D4-2400-4GB-512X8-L 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CB8GU2400.C8JT 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
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Kingston 9905599-026.A00G 8GB
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G Skill Intl F4-2666C15-8GVR 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C14 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-XN 4GB
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