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Apacer Technology 75.A73AA.G03 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3000 8GB
比较
Apacer Technology 75.A73AA.G03 2GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3000 8GB
总分
Apacer Technology 75.A73AA.G03 2GB
总分
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3000 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Apacer Technology 75.A73AA.G03 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
18.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,291.6
14.2
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3000 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
19
56
左右 -195% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
19200
6400
左右 3 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Apacer Technology 75.A73AA.G03 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3000 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
56
19
读取速度,GB/s
4,983.0
18.7
写入速度,GB/s
2,291.6
14.2
内存带宽,mbps
6400
19200
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
1010
3220
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3000C15-8GTZ 8GB
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Micron Technology 36ADS2G72PZ-2G1A1 16GB
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Corsair CMSO32GX4M2A2133C15 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZR 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Carry Technology Co. Ltd. 4DCC3IOGE-MATP 8GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-XN 16GB
SK Hynix HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBD2 4GB
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