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Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Kingston 99C5316-019.A00LF 1GB
比较
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB vs Kingston 99C5316-019.A00LF 1GB
总分
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
总分
Kingston 99C5316-019.A00LF 1GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
6400
5300
左右 1.21% 更高的带宽
需要考虑的原因
Kingston 99C5316-019.A00LF 1GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
52
64
左右 -23% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
2,329.2
2,256.8
测试中的平均数值
规格
完整的技术规格清单
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Kingston 99C5316-019.A00LF 1GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR2
PassMark中的延时,ns
64
52
读取速度,GB/s
4,651.3
4,594.7
写入速度,GB/s
2,256.8
2,329.2
内存带宽,mbps
6400
5300
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
5-5-5-15 / 667 MHz
排名PassMark (越多越好)
837
724
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB RAM的比较
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Kingston 99C5316-019.A00LF 1GB RAM的比较
Corsair VS2GB800D2 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
SK Hynix HMA81GS6AFR8N-UH 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4000 4GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Mushkin 99[2/7/4]205[F/T] 8GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
SK Hynix HMA82GU6MFR8N-TF 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6MFR8N
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZ 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Corsair CM4B8G4J2400A16K2-ON 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
SK Hynix HMA451R7AFR8N-TF 4GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Crucial Technology BLS8G4D30BESBK.8FD 8GB
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