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Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMK16GX4M4B3333C16 4GB
比较
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Corsair CMK16GX4M4B3333C16 4GB
总分
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
总分
Corsair CMK16GX4M4B3333C16 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
2
16.8
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMK16GX4M4B3333C16 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
24
46
左右 -92% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
12.1
1,519.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
3200
左右 5.31 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMK16GX4M4B3333C16 4GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
46
24
读取速度,GB/s
2,909.8
16.8
写入速度,GB/s
1,519.2
12.1
内存带宽,mbps
3200
17000
Other
描述
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
3-3-3-12 / 400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
241
3009
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB RAM的比较
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Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Golden Empire CL14-16-16 D4-3000 4GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Corsair CMK32GX4M4B3600C18 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Kingston 9905702-014.A00G 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17081C 8GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
HT Micron HTH5AN8G8NCJR-VKD 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Lexar Co Limited LD4AS016G-H2666G 16GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Super Talent F21UB8GS 8GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GR26C16S8K2HU416 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Kingston 9905630-025.A00G 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Essencore Limited KD48GU880-32A160X 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15/8G 8GB
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