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Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-XN 4GB
比较
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB vs SK Hynix HMA851S6CJR6N-XN 4GB
总分
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
总分
SK Hynix HMA851S6CJR6N-XN 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
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需要考虑的原因
SK Hynix HMA851S6CJR6N-XN 4GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
38
44
左右 -16% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15.1
11.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.6
8.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
10600
左右 2.42 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-XN 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
44
38
读取速度,GB/s
11.2
15.1
写入速度,GB/s
8.1
11.6
内存带宽,mbps
10600
25600
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
2293
2382
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB RAM的比较
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G Skill Intl F4-3000C15-4GTZB 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Kingston 9965600-027.A00G 16GB
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C17 Series 4GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2400 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FB 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Apacer Technology 78.CAGP7.AZ20B 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingston 9965667-001.A00G 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTRG 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FF 4GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Kingston X5H5PW-MIB 8GB
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