RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BC1S 8GB
Compara
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB vs A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BC1S 8GB
Puntuación global
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Puntuación global
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BC1S 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Informar de un error
Mayor velocidad de escritura, GB/s
7.8
7.3
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BC1S 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
31
45
En -45% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
13.6
12
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
12800
En 1.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BC1S 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
45
31
Velocidad de lectura, GB/s
12.0
13.6
Velocidad de escritura, GB/s
7.8
7.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
21300
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1939
2307
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Kingston KF2666C15S4/16G 16GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BC1S 8GB Comparaciones de la memoria RAM
PNY Electronics PNY 2GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BC1S 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CM4X16GE2400C14K4 16GB
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
SK Hynix HMAA4GS6AJR8N-XN 32GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.16FBD2 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Samsung M386A4G40DM0-CPB 32GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Golden Empire CL15-17-17 D4-3000 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GVK 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-4400C19-8GTZSW 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Corsair CMK16GX4M2K4400C19 8GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Kingston 9965604-033.D00G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GFXR 8GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GTZ 4GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link