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Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Compara
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB vs AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Puntuación global
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Puntuación global
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Diferencias
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Razones a tener en cuenta
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
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Razones a tener en cuenta
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
27
45
En -67% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
14.7
12
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
9.2
7.8
Valor medio en las pruebas
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR3
Latencia en PassMark, ns
45
27
Velocidad de lectura, GB/s
12.0
14.7
Velocidad de escritura, GB/s
7.8
9.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
12800
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
9-9-9-24 / 1600 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1939
2272
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB Comparaciones de la memoria RAM
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AMD R534G1601U1S 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Corsair CMWX16GC3200C16W2E 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Corsair CMG32GX4M2E3200C16 16GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
V-Color Technology Inc. TC416G24D817 16GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Kingston 9965589-008.D01G 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Corsair CMSX8GX4M1A2400C16 8GB
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
Kingston CBD24D4S7S8MB-8 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
SK Hynix HMA81GU7AFR8N-UH 8GB
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