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Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
比较
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB vs AMD R534G1601U1S-UO 4GB
总分
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
总分
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
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需要考虑的原因
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
27
45
左右 -67% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
14.7
12
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
9.2
7.8
测试中的平均数值
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR3
PassMark中的延时,ns
45
27
读取速度,GB/s
12.0
14.7
写入速度,GB/s
7.8
9.2
内存带宽,mbps
12800
12800
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
9-9-9-24 / 1600 MHz
排名PassMark (越多越好)
1939
2272
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9965596-023.B01G 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
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Kingston KF552C40-16 16GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17081C 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Corsair CMWX8GD3000C16W4D 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
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Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832161B 8GB
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Kingston 9905624-014.A00G 4GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Corsair CMK16GX4M4B3600C18 4GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZRA 16GB
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