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Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB

Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB vs AMD R534G1601U1S-UO 4GB

总分
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Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB

Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB

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AMD R534G1601U1S-UO 4GB

AMD R534G1601U1S-UO 4GB

差异 规格 评论

差异

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Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
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  • 低于PassMark测试中的延时，ns
    27 left arrow 45
    左右 -67% 更低的延时
  • 更快的读取速度，GB/s
    14.7 left arrow 12
    测试中的平均数值
  • 更快的写入速度，GB/s
    9.2 left arrow 7.8
    测试中的平均数值

规格

完整的技术规格清单
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR3 left arrow DDR3
  • PassMark中的延时，ns
    45 left arrow 27
  • 读取速度，GB/s
    12.0 left arrow 14.7
  • 写入速度，GB/s
    7.8 left arrow 9.2
  • 内存带宽，mbps
    12800 left arrow 12800
Other
  • 描述
    PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 left arrow PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
  • 时序/时钟速度
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 9-9-9-24 / 1600 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    1939 left arrow 2272

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