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Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Corsair CMU16GX4M2A2666C16 8GB
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Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB vs Corsair CMU16GX4M2A2666C16 8GB
Puntuación global
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Puntuación global
Corsair CMU16GX4M2A2666C16 8GB
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Razones a tener en cuenta
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
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Razones a tener en cuenta
Corsair CMU16GX4M2A2666C16 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
30
45
En -50% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17
12
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.7
7.8
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
12800
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Corsair CMU16GX4M2A2666C16 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
45
30
Velocidad de lectura, GB/s
12.0
17.0
Velocidad de escritura, GB/s
7.8
12.7
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
17000
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1939
3142
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Kingston KF2666C15S4/16G 16GB
Corsair CMU16GX4M2A2666C16 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CB8GU2400.C8JT 8GB
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Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FBD 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2400C14-16GVK 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Kingston 9905678-044.A00G 8GB
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