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Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Corsair CMW32GX4M4K3733C17 8GB
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Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB vs Corsair CMW32GX4M4K3733C17 8GB
Puntuación global
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Puntuación global
Corsair CMW32GX4M4K3733C17 8GB
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Especificaciones
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Razones a tener en cuenta
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
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Razones a tener en cuenta
Corsair CMW32GX4M4K3733C17 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
19
45
En -137% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
21
12
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
18.6
7.8
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
12800
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Corsair CMW32GX4M4K3733C17 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
45
19
Velocidad de lectura, GB/s
12.0
21.0
Velocidad de escritura, GB/s
7.8
18.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
17000
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1939
3993
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Crucial Technology BLM16G40C18U4B.M8FB1 16GB
Team Group Inc. ZEUS-2133 8GB
Avant Technology J642GU42J2320NQ 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
SK Hynix HMA41GR7BJR4N-UH 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BCIS 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Asgard VMA41UH-MEC1U2AW1 16GB
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