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Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Crucial Technology BL32G36C16U4B.M16FB1 32GB
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Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB vs Crucial Technology BL32G36C16U4B.M16FB1 32GB
Puntuación global
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Puntuación global
Crucial Technology BL32G36C16U4B.M16FB1 32GB
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Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
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Razones a tener en cuenta
Crucial Technology BL32G36C16U4B.M16FB1 32GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
29
45
En -55% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
21.4
12
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
17.2
7.8
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
12800
En 1.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Crucial Technology BL32G36C16U4B.M16FB1 32GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
45
29
Velocidad de lectura, GB/s
12.0
21.4
Velocidad de escritura, GB/s
7.8
17.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
21300
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1939
4047
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB Comparaciones de la memoria RAM
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTRS 32GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FE 8GB
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Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4400C19A 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Kingston KHX3466C16D4/8GX 8GB
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