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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB
Micron Technology 4ATS1G64HZ-2G3B1 8GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB vs Micron Technology 4ATS1G64HZ-2G3B1 8GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB
Puntuación global
Micron Technology 4ATS1G64HZ-2G3B1 8GB
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Especificaciones
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB
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Razones a tener en cuenta
Micron Technology 4ATS1G64HZ-2G3B1 8GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
17.1
10.9
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.1
7.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
8500
En 2.26 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB
Micron Technology 4ATS1G64HZ-2G3B1 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
28
28
Velocidad de lectura, GB/s
10.9
17.1
Velocidad de escritura, GB/s
7.1
13.1
Ancho de banda de la memoria, mbps
8500
19200
Other
Descripción
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1066 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1668
2833
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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G Skill Intl F4-3600C16-16GTZN 16GB
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