RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB
Micron Technology 4ATS1G64HZ-2G3B1 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB против Micron Technology 4ATS1G64HZ-2G3B1 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB
Средняя оценка
Micron Technology 4ATS1G64HZ-2G3B1 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Micron Technology 4ATS1G64HZ-2G3B1 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
17.1
10.9
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.1
7.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
8500
Около 2.26 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB
Micron Technology 4ATS1G64HZ-2G3B1 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
28
28
Скорость чтения, Гб/сек
10.9
17.1
Скорость записи, Гб/сек
7.1
13.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
8500
19200
Other
Описание
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1066 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1668
2833
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB Сравнения RAM
SK Hynix HMT351S6AFR8C-G7 4GB
Corsair CMK16GX4M4B3200C16 4GB
Micron Technology 4ATS1G64HZ-2G3B1 8GB Сравнения RAM
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Apacer Technology 78.CAGP7.C7Z0B 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1A1 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXW 16GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Crucial Technology CB8GU2400.C8ET 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS632A.M4FE 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Kingston CBD24D4S7D8MA-16 16GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVB 8GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.M8FBD 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
King Tiger Technology TMKG8G3000C17(XMP) 8GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Maxsun MSD48G30M3 8GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Corsair CMV4GX4M1A2400C16 4GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingston HP24D4U7S8MD-8 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link