RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVRB 4GB
Compara
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB vs G Skill Intl F4-3000C15-4GVRB 4GB
Puntuación global
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-3000C15-4GVRB 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-3000C15-4GVRB 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
30
45
En -50% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17.2
12
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.5
7.8
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
12800
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVRB 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
45
30
Velocidad de lectura, GB/s
12.0
17.2
Velocidad de escritura, GB/s
7.8
13.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
17000
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1939
3157
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Kingston KF2666C15S4/16G 16GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVRB 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
AMD R748G2133U2S 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR2 4GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3B1 16GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Apacer Technology 78.D2GFH.4030B 16GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTRS 8GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Kingston KHX3000C15D4/8GX 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Corsair CM4B8G7L2666A16K2-O 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G6E1 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVR 4GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GRS 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C18 Series 32GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3866C18-4GVK 4GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link