Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB против G Skill Intl F4-3000C15-4GVRB 4GB

-->

Средняя оценка

Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB

Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB

Средняя оценка

G Skill Intl F4-3000C15-4GVRB 4GB

G Skill Intl F4-3000C15-4GVRB 4GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB

Причины выбрать
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB

Сообщить об ошибке

G Skill Intl F4-3000C15-4GVRB 4GB

Причины выбрать
G Skill Intl F4-3000C15-4GVRB 4GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

30 45

Около -50% меньшая задержка
Выше скорость чтения

17.2 12

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

13.5 7.8

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

17000 12800

Около 1.33 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB

G Skill Intl F4-3000C15-4GVRB 4GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR3 DDR4
Задержка в PassMark, нс

45 30
Скорость чтения, Гб/сек

12.0 17.2
Скорость записи, Гб/сек

7.8 13.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек

12800 17000

Other

Описание

PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота

9-9-9-24 / 1600 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

1939 3157

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB

A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB

Kingston 9905624-033.A00G 8GB

Kingston 9905624-033.A00G 8GB

модули RAM

A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB

A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB

Kingston 9905702-150.A00G 8GB

Kingston 9905702-150.A00G 8GB

модули RAM

Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB

Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB

Crucial Technology CT16G4SFDFD4A.M16FH 16GB

Crucial Technology CT16G4SFDFD4A.M16FH 16GB

модули RAM

Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB

Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB

Corsair CMW128GX4M4E3200C16 32GB

Corsair CMW128GX4M4E3200C16 32GB

модули RAM

Kingmax Semiconductor FLFF65F-D8KQ9 4GB

Kingmax Semiconductor FLFF65F-D8KQ9 4GB

Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G13332 4GB

Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G13332 4GB

модули RAM

Corsair VS2GB1333D4 2GB

Corsair VS2GB1333D4 2GB

Corsair CMSX64GX4M4A2400C16 16GB

Corsair CMSX64GX4M4A2400C16 16GB

модули RAM

Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB

Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB

Corsair CMW32GX4M2Z3600C18 16GB

Corsair CMW32GX4M2Z3600C18 16GB

модули RAM

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240

Corsair CMW64GX4M4C3466C16 16GB

Corsair CMW64GX4M4C3466C16 16GB

модули RAM

Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB

Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB

Apacer Technology 78.C1GS7.AUW0B 8GB

Apacer Technology 78.C1GS7.AUW0B 8GB

модули RAM

Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB

Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB

Apacer Technology 78.BAGSR.4030B 4GB

Apacer Technology 78.BAGSR.4030B 4GB

модули RAM

Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB

Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB

G Skill Intl F4-2400C15-16GVR 16GB

G Skill Intl F4-2400C15-16GVR 16GB

модули RAM

Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB

Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB

OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB

OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB

модули RAM

Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB

Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB

Corsair CMK32GX4M4A2666C15 8GB

Corsair CMK32GX4M4A2666C15 8GB

модули RAM

Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB

Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB

Team Group Inc. 76TT16NUSL2R8-4G 4GB

Team Group Inc. 76TT16NUSL2R8-4G 4GB

модули RAM