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Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GFX 8GB
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Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB vs G Skill Intl F4-3200C14-8GFX 8GB
Puntuación global
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-3200C14-8GFX 8GB
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Razones a tener en cuenta
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
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Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-3200C14-8GFX 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
28
45
En -61% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
19.1
12
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
15.5
7.8
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
12800
En 1.5 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GFX 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
45
28
Velocidad de lectura, GB/s
12.0
19.1
Velocidad de escritura, GB/s
7.8
15.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
19200
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1939
3680
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G Skill Intl F4-3200C14-8GFX 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FE 4GB
Crucial Technology CT102464BD160B.M16 8GB
Team Group Inc. TEANGROUP-UD4-2400 8GB
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