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SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
Hyundai Inc AR32C16S8K2SU416R 8GB
Compara
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB vs Hyundai Inc AR32C16S8K2SU416R 8GB
Puntuación global
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
Puntuación global
Hyundai Inc AR32C16S8K2SU416R 8GB
Diferencias
Especificaciones
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
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Razones a tener en cuenta
Hyundai Inc AR32C16S8K2SU416R 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
20
42
En -110% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
19.4
12.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
15.0
9.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
14900
En 1.14 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
Hyundai Inc AR32C16S8K2SU416R 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
42
20
Velocidad de lectura, GB/s
12.8
19.4
Velocidad de escritura, GB/s
9.0
15.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
14900
17000
Other
Descripción
PC3-14900, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 13
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tiempos / Velocidad del reloj
9-10-9-28 / 1866 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2269
3395
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Hyundai Inc AR32C16S8K2SU416R 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FD1 16GB
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Samsung M378A1K43BB1-CTD 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FB 4GB
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