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SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
Hyundai Inc AR32C16S8K2SU416R 8GB
Confronto
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB vs Hyundai Inc AR32C16S8K2SU416R 8GB
Punteggio complessivo
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
Punteggio complessivo
Hyundai Inc AR32C16S8K2SU416R 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
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Differenze
Motivi da considerare
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
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Motivi da considerare
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
20
42
Intorno -110% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
19.4
12.8
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
15.0
9.0
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
14900
Intorno 1.14 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
Hyundai Inc AR32C16S8K2SU416R 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
42
20
Velocità di lettura, GB/s
12.8
19.4
Velocità di scrittura, GB/s
9.0
15.0
Larghezza di banda della memoria, mbps
14900
17000
Other
Descrizione
PC3-14900, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 13
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-10-9-28 / 1866 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2269
3395
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB Confronto tra le RAM
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Hyundai Inc AR32C16S8K2SU416R 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3200C14-8GTRS 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZDCB 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVGB 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
G Skill Intl F4-3600C16-32GTZN 32GB
Kingston HX316C10F/8 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E3 4GB
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