RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZKK 16GB
Compara
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB vs G Skill Intl F4-3600C17-16GTZKK 16GB
Puntuación global
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZKK 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZKK 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
20
45
En -125% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
20.1
12
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
15.7
7.8
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
12800
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZKK 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
45
20
Velocidad de lectura, GB/s
12.0
20.1
Velocidad de escritura, GB/s
7.8
15.7
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
17000
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1939
3726
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Kingston KF2666C15S4/16G 16GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZKK 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-C6---------- 4GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Apacer Technology 78.CAGNT.4050B 8GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GVKB 16GB
Samsung M4 70T5663EH3-CF7 2GB
A-DATA Technology DDR4 2400 2OZ 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-2666C19-16GIS 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Essencore Limited KD48GU880-32A160T 8GB
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZKW 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-XN 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CMW32GX4M4A2666C16 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Corsair CMSX64GX4M4A2400C16 16GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Avant Technology J641GU49J2320NE 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Panram International Corporation W4U3200PS-16G 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Kllisre 99P5428-002.A00LF 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G28HA-21P 4GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link