RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZKK 16GB
Porównaj
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB vs G Skill Intl F4-3600C17-16GTZKK 16GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZKK 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZKK 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
20
45
Wokół strony -125% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
20.1
12
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.7
7.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZKK 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
45
20
Prędkość odczytu, GB/s
12.0
20.1
Prędkość zapisu, GB/s
7.8
15.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1939
3726
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Kingston KF2666C15S4/16G 16GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZKK 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXWB 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Dust Leopard DDR4-2400 C16 8GB 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-XN 8GB
Samsung M3 78T6553CZ3-CD5 512MB
A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16G
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FJ 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZKK 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-XN 4GB
SK Hynix HMT351S6BFR8C-H9 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FARG 4GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.8FE 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.C8FJ 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Corsair CMD16GX4M2B3600C18 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FADP 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO10240
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link