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Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTZN 32GB
Compara
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB vs G Skill Intl F4-4000C18-32GTZN 32GB
Puntuación global
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-4000C18-32GTZN 32GB
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Especificaciones
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Razones a tener en cuenta
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
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Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-4000C18-32GTZN 32GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
29
45
En -55% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
20.6
12
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
18.8
7.8
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
12800
En 1.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTZN 32GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
45
29
Velocidad de lectura, GB/s
12.0
20.6
Velocidad de escritura, GB/s
7.8
18.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
21300
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1939
4112
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G Skill Intl F4-4000C18-32GTZN 32GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FBR 16GB
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Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FH 8GB
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Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVRB 4GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Kingston 9905713-035.A00G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9905701-141.A00G 16GB
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