RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTZN 32GB
Comparez
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB vs G Skill Intl F4-4000C18-32GTZN 32GB
Note globale
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Note globale
G Skill Intl F4-4000C18-32GTZN 32GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-4000C18-32GTZN 32GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
29
45
Autour de -55% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
20.6
12
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
18.8
7.8
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
12800
Autour de 1.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTZN 32GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
45
29
Vitesse de lecture, GB/s
12.0
20.6
Vitesse d'écriture, GB/s
7.8
18.8
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
21300
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1939
4112
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB Comparaison des RAM
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Kingston KF2666C15S4/16G 16GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTZN 32GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Kingston 9905702-400.A00G 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
G Skill Intl F4-4266C19-4GTZ 4GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston HP26D4S9S8HJ-8 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Kllisre 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FE 8GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Hewlett-Packard 48U45AA# 16GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKW 16GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR4N
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2933 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1A1 32GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Corsair CMT16GX4M2C3000C15 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-2133 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GVK 16GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800UD102408-2400 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link