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Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-4600C18-8GTZR 8GB
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Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB vs G Skill Intl F4-4600C18-8GTZR 8GB
Puntuación global
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-4600C18-8GTZR 8GB
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Razones a tener en cuenta
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
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Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-4600C18-8GTZR 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
22
45
En -105% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
19.3
12
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
17.3
7.8
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
12800
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-4600C18-8GTZR 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
45
22
Velocidad de lectura, GB/s
12.0
19.3
Velocidad de escritura, GB/s
7.8
17.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
17000
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1939
3653
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB Comparaciones de la memoria RAM
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Apacer Technology D12.2324WT.001 8GB
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Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-4GVK 4GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
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Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFX 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-4600C18-8GTRS 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N
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