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Samsung M378B5173EB0-YK0 4GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1B1 16GB
Compara
Samsung M378B5173EB0-YK0 4GB vs Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1B1 16GB
Puntuación global
Samsung M378B5173EB0-YK0 4GB
Puntuación global
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1B1 16GB
Diferencias
Especificaciones
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M378B5173EB0-YK0 4GB
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Razones a tener en cuenta
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1B1 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
29
41
En -41% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
14.2
14.1
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
8.9
8.2
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
12800
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M378B5173EB0-YK0 4GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1B1 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
41
29
Velocidad de lectura, GB/s
14.1
14.2
Velocidad de escritura, GB/s
8.2
8.9
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
17000
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2240
2909
Samsung M378B5173EB0-YK0 4GB Comparaciones de la memoria RAM
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Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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