RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5173EB0-YK0 4GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1B1 16GB
Comparar
Samsung M378B5173EB0-YK0 4GB vs Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1B1 16GB
Pontuação geral
Samsung M378B5173EB0-YK0 4GB
Pontuação geral
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1B1 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M378B5173EB0-YK0 4GB
Relatar um erro
Razões a considerar
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1B1 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
29
41
Por volta de -41% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
14.2
14.1
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
8.9
8.2
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
12800
Por volta de 1.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M378B5173EB0-YK0 4GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1B1 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
41
29
Velocidade de leitura, GB/s
14.1
14.2
Velocidade de escrita, GB/s
8.2
8.9
Largura de banda de memória, mbps
12800
17000
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2240
2909
Samsung M378B5173EB0-YK0 4GB Comparações de RAM
Kllisre KRE-D3U1600M/8G 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1B1 16GB Comparações de RAM
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15S/8G 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBD1 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingston 9965662-002.A01G 16GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Crucial Technology CB8GU2666.C8ET 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Corsair CMK16GX4M1D3000C16 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Avant Technology W641GU42J5213N3 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-XN 8GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Corsair CMW64GX4M8C3200C16 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4WL.M16FE 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 C17 4GB 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston CBD26D4S9S8ME-8 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston 9965640-006.A01G 32GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Crucial Technology BL8G26C16S4B.8FD 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link