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Samsung M378B5173EB0-YK0 4GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1B1 16GB

Samsung M378B5173EB0-YK0 4GB vs Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1B1 16GB

総合得点
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Samsung M378B5173EB0-YK0 4GB

Samsung M378B5173EB0-YK0 4GB

総合得点
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Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1B1 16GB

Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1B1 16GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Samsung M378B5173EB0-YK0 4GB 考慮すべき理由
Samsung M378B5173EB0-YK0 4GB
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Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1B1 16GB 考慮すべき理由
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1B1 16GB
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  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    29 left arrow 41
    周辺 -41% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    14.2 left arrow 14.1
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    8.9 left arrow 8.2
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    17000 left arrow 12800
    周辺 1.33 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Samsung M378B5173EB0-YK0 4GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1B1 16GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    41 left arrow 29
  • 読み出し速度、GB/s
    14.1 left arrow 14.2
  • 書き込み速度、GB/秒
    8.2 left arrow 8.9
  • メモリ帯域幅、mbps
    12800 left arrow 17000
Other
  • 商品説明
    PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
  • タイミング / クロック速度
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    2240 left arrow 2909

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