Samsung M378B5173EB0-YK0 4GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1B1 16GB

Samsung M378B5173EB0-YK0 4GB vs Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1B1 16GB

Punteggio complessivo
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Samsung M378B5173EB0-YK0 4GB

Samsung M378B5173EB0-YK0 4GB

Punteggio complessivo
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Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1B1 16GB

Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1B1 16GB

Differenze

  • Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
    29 left arrow 41
    Intorno -41% latenza inferiore
  • Velocità di lettura più elevata, GB/s
    14.2 left arrow 14.1
    Valore medio nei test
  • Velocità di scrittura più elevata, GB/s
    8.9 left arrow 8.2
    Valore medio nei test
  • Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
    17000 left arrow 12800
    Intorno 1.33 larghezza di banda superiore

Specifiche tecniche

Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M378B5173EB0-YK0 4GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1B1 16GB
Caratteristiche principali
  • Tipo di memoria
    DDR3 left arrow DDR4
  • Latenza in PassMark, ns
    41 left arrow 29
  • Velocità di lettura, GB/s
    14.1 left arrow 14.2
  • Velocità di scrittura, GB/s
    8.2 left arrow 8.9
  • Larghezza di banda della memoria, mbps
    12800 left arrow 17000
Other
  • Descrizione
    PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
  • Temporizzazioni / Velocità di clock
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • Classifica PassMark (più sono, meglio è)
    2240 left arrow 2909
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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