RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2933 16GB
Compara
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB vs Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2933 16GB
Puntuación global
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Puntuación global
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2933 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2933 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
27
45
En -67% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.5
12
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.0
7.8
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
23400
12800
En 1.83 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2933 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
45
27
Velocidad de lectura, GB/s
12.0
16.5
Velocidad de escritura, GB/s
7.8
12.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
23400
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1939
3245
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Kingston KF2666C15S4/16G 16GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2933 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2933 16GB
Nanya Technology M2F4G64CB8HB9N-CG 4GB
Nanya Technology M2F4G64CB8HD5N-CG 4GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Kingston XRGM6C-MIB 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4BL.M16FE 16GB
Mushkin 996902 2GB
Corsair CMK16GX4M2K4266C19 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Team Group Inc. DDR4 2800 8GB
Team Group Inc. Team-Value-800 2GB
Kingston KHX3333C16D4/16GX 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Apacer Technology 78.BAGP4.AR50C 4GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
SK Hynix HMA42GR7AFR4N-UH 16GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSDK.8FBD 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Avant Technology J644GU44J2320NF 32GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD3-2400 8GB
Team Group Inc. Dark-2400 4GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636181DC 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16/8G 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link