RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2933 16GB
Porównaj
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB vs Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2933 16GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Wynik ogólny
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2933 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2933 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
45
Wokół strony -67% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.5
12
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.0
7.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
23400
12800
Wokół strony 1.83 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2933 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
45
27
Prędkość odczytu, GB/s
12.0
16.5
Prędkość zapisu, GB/s
7.8
12.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
23400
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1939
3245
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Kingston KF2666C15S4/16G 16GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2933 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Smart Modular SF4642G8CK8I8HLSBG 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
AMD R7416G2400U2S 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2933 16GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Hewlett-Packard 7EH61AA# 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMG64GX4M2D3600C18 32GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Kllisre 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4000C19A 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Corsair CMK16GX4M4B3866C18 4GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2B2 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4400 C18 Series 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Essencore Limited KD44GU481-26N1600 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Transcend Information TS1GSH64V1H 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Asgard VMA41UG-MEC1U2AW1 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
SK Hynix HMA41GS6AFR8N-TF 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link