Comparación de la memoria RAM Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2400AH 8GB

Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2400AH 8GB

Puntuación global

Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB

Puntuación global

Diferencias Especificaciones Comentarios

Razones a tener en cuenta
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB

Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2400AH 8GB

Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns

25 45

En -80% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s

14.2 12

Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps

19200 12800

En 1.5 mayor ancho de banda

Lista completa de especificaciones técnicas

Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2400AH 8GB

Principales características

Other

Descripción

PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tiempos / Velocidad del reloj

9-9-9-24 / 1600 MHz 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)

1939 2104

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns