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Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2400AH 8GB
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Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2400AH 8GB
Pontuação geral
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Pontuação geral
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2400AH 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
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Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
7.8
7.4
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2400AH 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
25
45
Por volta de -80% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
14.2
12
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
12800
Por volta de 1.5 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2400AH 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
45
25
Velocidade de leitura, GB/s
12.0
14.2
Velocidade de escrita, GB/s
7.8
7.4
Largura de banda de memória, mbps
12800
19200
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1939
2104
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3000R 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GVKA 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GTZR 32GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
SK Hynix HMA84GR7MFR4N-TF 32GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Crucial Technology CT16G4SFS8266.C8FB 16GB
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