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Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Kingston KF3200C16D4/32GX 32GB
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Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB vs Kingston KF3200C16D4/32GX 32GB
Puntuación global
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Puntuación global
Kingston KF3200C16D4/32GX 32GB
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Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
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Razones a tener en cuenta
Kingston KF3200C16D4/32GX 32GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
30
45
En -50% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
18.2
12
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.2
7.8
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
12800
En 1.5 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Kingston KF3200C16D4/32GX 32GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
45
30
Velocidad de lectura, GB/s
12.0
18.2
Velocidad de escritura, GB/s
7.8
13.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
19200
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1939
3473
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB Comparaciones de la memoria RAM
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Kingston KF2666C15S4/16G 16GB
Kingston KF3200C16D4/32GX 32GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N
Golden Empire CL16-18-18 D4-3000 16GB
Corsair CMK16GX4M2D3600C18 8GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
I’M Intelligent Memory Ltd. PF4OUN-2400CH0-08G-A 8GB
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