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Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB
Compara
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB vs Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB
Puntuación global
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Puntuación global
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB
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Razones a tener en cuenta
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
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Razones a tener en cuenta
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
27
45
En -67% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
14.8
12
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
10.2
7.8
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
12800
En 1.5 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
45
27
Velocidad de lectura, GB/s
12.0
14.8
Velocidad de escritura, GB/s
7.8
10.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
19200
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1939
2173
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB Comparaciones de la memoria RAM
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Avant Technology J644GU44J9266NQ 32GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Kingston 9905702-020.A00G 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Kingston 99U5663-007.A00G 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
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Crucial Technology BLE8G4D26AFEA.16FAD 8GB
Mushkin 991586 2GB
Kingston 9965596-029.B00G 4GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FR 16GB
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