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Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB
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Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB vs Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB
Puntuación global
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Puntuación global
Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB
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Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
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Razones a tener en cuenta
Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
37
45
En -22% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
13.9
12
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
9.9
7.8
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
12800
En 1.5 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
45
37
Velocidad de lectura, GB/s
12.0
13.9
Velocidad de escritura, GB/s
7.8
9.9
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
19200
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1939
2389
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
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Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston HP669238-071-HYC 4GB
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Corsair CMK16GX4M4A2133C15 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston KKN2NM-MIE 4GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVRB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Carry Technology Co. Ltd. 4DCC3IOGE-MATP 8GB
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