RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MB-24R 16GB
Compara
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB vs SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MB-24R 16GB
Puntuación global
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Puntuación global
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MB-24R 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MB-24R 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
42
45
En -7% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.7
12
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.9
7.8
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
12800
En 1.5 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MB-24R 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
45
42
Velocidad de lectura, GB/s
12.0
15.7
Velocidad de escritura, GB/s
7.8
11.9
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
19200
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1939
2737
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Kingston KF2666C15S4/16G 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MB-24R 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Hewlett-Packard 7EH98AA#ABB 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Samsung M378A2K43CB1-CRC 16GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C18 Series 16GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRB 4GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
SK Hynix HMA425S6BJR6N-UH 2GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Corsair CM4X16GF3200C22S2 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FF 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
InnoDisk Corporation M4U0-8GSSKCSJ 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-WM 16GB
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17161C 16GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Kingston 9905624-044.A00G 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link