RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
ja
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MB-24R 16GB

Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB vs SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MB-24R 16GB

総合得点
star star star star star
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB

Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB

総合得点
star star star star star
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MB-24R 16GB

SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MB-24R 16GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB 考慮すべき理由
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
バグを報告する
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MB-24R 16GB 考慮すべき理由
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MB-24R 16GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    42 left arrow 45
    周辺 -7% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    15.7 left arrow 12
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    11.9 left arrow 7.8
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    19200 left arrow 12800
    周辺 1.5 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MB-24R 16GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    45 left arrow 42
  • 読み出し速度、GB/s
    12.0 left arrow 15.7
  • 書き込み速度、GB/秒
    7.8 left arrow 11.9
  • メモリ帯域幅、mbps
    12800 left arrow 19200
Other
  • 商品説明
    PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
  • タイミング / クロック速度
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    1939 left arrow 2737

Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB RAMの比較

Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Kingston KF2666C15S4/16G 16GB

SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MB-24R 16GB RAMの比較

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新の比較

Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Transcend Information JM2666HSB-16G 16GB
Transcend Information JM2666HSB-16G 16GB
メモリRAM
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MB-24R 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MB-24R 16GB
メモリRAM
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Team Group Inc. TEANGROUP-UD4-2400 8GB
Team Group Inc. TEANGROUP-UD4-2400 8GB
メモリRAM
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 8GB CL16 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 8GB CL16 8GB
メモリRAM
Elpida EBJ21UE8BDS0-DJ-F 2GB
Elpida EBJ21UE8BDS0-DJ-F 2GB
Kingston 9905663-016.A00G 16GB
Kingston 9905663-016.A00G 16GB
メモリRAM
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Essencore Limited KD4AGSA8A-32N2200 16GB
Essencore Limited KD4AGSA8A-32N2200 16GB
メモリRAM
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Samsung M471A5244CB0-CRC 4GB
Samsung M471A5244CB0-CRC 4GB
メモリRAM
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FRS 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FRS 16GB
メモリRAM
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1A1 8GB
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1A1 8GB
メモリRAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Avant Technology W642GU42J2320NH 16GB
Avant Technology W642GU42J2320NH 16GB
メモリRAM
SK Hynix HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
SK Hynix HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N-VK 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N
メモリRAM
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1A1 16GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1A1 16GB
メモリRAM
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Kllisre 0000 8GB
Kllisre 0000 8GB
メモリRAM
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
Corsair CM4B8G2J2133A15S 8GB
Corsair CM4B8G2J2133A15S 8GB
メモリRAM