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Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
Compara
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB vs Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
Puntuación global
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Puntuación global
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
45
73
En 38% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.1
12
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
7.9
7.8
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
12800
En 1.5 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
45
73
Velocidad de lectura, GB/s
12.0
15.1
Velocidad de escritura, GB/s
7.8
7.9
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
19200
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1939
1724
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Kingston KF2666C15S4/16G 16GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB Comparaciones de la memoria RAM
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4R.16FE 16GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Kingston KMKYF9-MID 8GB
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8MO5 2GB
Hypertec G2RT-4AFT00 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Samsung V-GeN D4S8GL26A8TL5 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Gloway International (HK) STK4U2133D15081C 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.C8FE 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FB 4GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
ISD Technology Limited 8GBF1X08QFHH38-135-K 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Kingston KHX3333C16D4/16GX 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213341 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
SK Hynix HMA41GU7AFR8N-TF 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17S/8G 8GB
Kingston KHX16LC9/8GX 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FHD1 8GB
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