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Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
SK Hynix HMAA4GS6MJR8N-VK 32GB
Compara
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB vs SK Hynix HMAA4GS6MJR8N-VK 32GB
Puntuación global
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Puntuación global
SK Hynix HMAA4GS6MJR8N-VK 32GB
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Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
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Razones a tener en cuenta
SK Hynix HMAA4GS6MJR8N-VK 32GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
36
45
En -25% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
14.7
12
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
8.9
7.8
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
12800
En 1.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
SK Hynix HMAA4GS6MJR8N-VK 32GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
45
36
Velocidad de lectura, GB/s
12.0
14.7
Velocidad de escritura, GB/s
7.8
8.9
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
21300
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1939
2588
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB Comparaciones de la memoria RAM
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SK Hynix HMAA4GS6MJR8N-VK 32GB Comparaciones de la memoria RAM
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
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Wilk Elektronik S.A. IRH2666D464L19/16G 16GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
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takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.C8FE 8GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.M16FR 16GB
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Apacer Technology D12.2344DT.001 4GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR32C16S8K2SU416R 8GB
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