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Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
SK Hynix HMAA4GS6MJR8N-VK 32GB

Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB vs SK Hynix HMAA4GS6MJR8N-VK 32GB

総合得点
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Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB

Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB

総合得点
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SK Hynix HMAA4GS6MJR8N-VK 32GB

SK Hynix HMAA4GS6MJR8N-VK 32GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB 考慮すべき理由
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
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SK Hynix HMAA4GS6MJR8N-VK 32GB 考慮すべき理由
SK Hynix HMAA4GS6MJR8N-VK 32GB
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  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    36 left arrow 45
    周辺 -25% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    14.7 left arrow 12
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    8.9 left arrow 7.8
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    21300 left arrow 12800
    周辺 1.66 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
SK Hynix HMAA4GS6MJR8N-VK 32GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    45 left arrow 36
  • 読み出し速度、GB/s
    12.0 left arrow 14.7
  • 書き込み速度、GB/秒
    7.8 left arrow 8.9
  • メモリ帯域幅、mbps
    12800 left arrow 21300
Other
  • 商品説明
    PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
  • タイミング / クロック速度
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    1939 left arrow 2588

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G Skill Intl F4-4133C19-8GTZRF 8GB
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Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
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Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266682 4GB
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メモリRAM
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Kingston 99U5624-001.A00G 8GB
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Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
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Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3B1 8GB
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メモリRAM
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Kingston HP26D4S9S8HJ-8 8GB
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Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
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G Skill Intl F4-2400C15-8GTZRX 8GB
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メモリRAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C
Kingston X74R9W-MIE 8GB
Kingston X74R9W-MIE 8GB
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Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
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G Skill Intl F4-2400C15-8GVS 8GB
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メモリRAM
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
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Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3A1 16GB
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Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
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