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Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Transcend Information JM3200HLE-16G 16GB
Compara
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB vs Transcend Information JM3200HLE-16G 16GB
Puntuación global
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Puntuación global
Transcend Information JM3200HLE-16G 16GB
Diferencias
Especificaciones
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Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
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Razones a tener en cuenta
Transcend Information JM3200HLE-16G 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
30
45
En -50% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
18.4
12
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
15.4
7.8
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
12800
En 2 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Transcend Information JM3200HLE-16G 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
45
30
Velocidad de lectura, GB/s
12.0
18.4
Velocidad de escritura, GB/s
7.8
15.4
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
25600
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 22 24
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1939
3694
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB Comparaciones de la memoria RAM
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Transcend Information JM3200HLE-16G 16GB Comparaciones de la memoria RAM
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Corsair CMW32GX4M2C3333C16 16GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Corsair CMD16GX4M2B3200C16 8GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Corsair CMK64GX4M4A2400C16 16GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Kingston KYXC0V-MID 16GB
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