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Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Corsair CM4X16GE2400C16S4 16GB
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Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB vs Corsair CM4X16GE2400C16S4 16GB
Puntuación global
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Puntuación global
Corsair CM4X16GE2400C16S4 16GB
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Especificaciones
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
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Razones a tener en cuenta
Corsair CM4X16GE2400C16S4 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
32
44
En -38% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.4
13
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
10.2
8.2
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
12800
En 1.5 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Corsair CM4X16GE2400C16S4 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
44
32
Velocidad de lectura, GB/s
13.0
15.4
Velocidad de escritura, GB/s
8.2
10.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
19200
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2069
2815
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB Comparaciones de la memoria RAM
SK Hynix HMT451S6DFR8A-PB 4GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Corsair CM4X16GE2400C16S4 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMT128GX4M8C3000C15 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Kingston 9905743-023.A00G 8GB
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