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Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Corsair CMN32GX4M2Z4600C18 16GB
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Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB vs Corsair CMN32GX4M2Z4600C18 16GB
Puntuación global
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Puntuación global
Corsair CMN32GX4M2Z4600C18 16GB
Diferencias
Especificaciones
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
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Razones a tener en cuenta
Corsair CMN32GX4M2Z4600C18 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
25
44
En -76% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17.4
13
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
16.6
8.2
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
12800
En 2 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Corsair CMN32GX4M2Z4600C18 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
44
25
Velocidad de lectura, GB/s
13.0
17.4
Velocidad de escritura, GB/s
8.2
16.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
25600
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2069
3908
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB Comparaciones de la memoria RAM
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SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Corsair CMN32GX4M2Z4600C18 16GB Comparaciones de la memoria RAM
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G240081 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Avexir Technologies Corporation T 4GB
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